Glas Carrier
Was sind Glas Carrier Wafer?
Glas Carrier Wafer sind Präzisionsscheiben aus dünnem Glas wie Borosilikatglas und Alumino-Borosilikatglas. Sie werden durch die Auswahl eines geeigneten hochwertigen Glasmaterials und dessen sorgfältigen Zuschnitt und Formgebung hergestellt.
Warum Glas ideal für Halbleiter ist
Carrier Wafer und Carrier Panels werden in der Halbleiterindustrie häufig zur Herstellung wesentlicher Komponenten wie 3D-ICs und FO-WLP verwendet. Um den hohen Temperaturen bei der Halbleiterherstellung standzuhalten, werden Wafer und Panels normalerweise aus einem Material mit hoher thermischer Stabilität hergestellt.
Carrier Wafer stammen aus den Anfängen der Halbleiterherstellung. Ursprünglich wurden bei der Herstellung Silizium-Wafer als Trägermaterialien verwendet, später kamen jedoch auch Materialien wie Glas und Keramik hinzu. Glas ist heute ein gängiges Trägermaterial für Carrier Wafer und wird in der schnelllebigen Welt der Halbleiter aus verschiedenen Gründen immer wichtiger.
Vorteile eines Glas Carriers
Glas Carrier werden in der schnelllebigen Welt der Halbleiter immer wichtiger. Dies ist auf die folgenden wesentlichen Eigenschaften zurückzuführen:
Hohe Rohglasqualität
Die hohe Reproduzierbarkeit unserer Schmelzprozesse gewährleistet eine hohe und gleichbleibende Rohglasqualität.
Breites CTE-Angebot
So können verschiedene Materialien während der Halbleiterverarbeitung als Carrier Wafer eingesetzt werden, wobei ein eng angepasster CTE für optimale Ergebnisse sorgt.
Mechanische Widerstandsfähigkeit
Exzellente Verarbeitungseigenschaften der Carrier Wafer führt zu einer außerordentlichen Widerstandsfähigkeit in Bereichen wie der Bruchfestigkeit.
Beständigkeit gegen Chemikalien und hohe Temperaturen
Glas ist dank seiner hohen Beständigkeit gegen Säuren und andere Chemikalien sowie seiner ausgezeichneten Temperaturschockeigenschaften ein hervorragendes Trägermaterial.
Transparenz
Die Transparenz von Glas Carriern ermöglicht einen Laser-Debondprozess und eine prozessintegrierte Inspektion. Sie erleichtert auch die Erkennung von eventuell auftretenden Bondingproblemen.
Extrem geringe Toleranzen
Carrier Wafer bieten ein TTV-Niveau von ≤ 3µm, was eine hervorragende Herunterdünnung des Siliziumwafers ermöglicht, und einen Warpage von ≤ 50µm, wodurch ein höherer Warpage während des Stacking-Prozesses vermieden wird.
Größe und Form
Glas eignet sich ideal als Trägersubstrat, da es weniger Größenbeschränkungen bedeutet. Es wird als Wafer hergestellt und hat die gleichen Optionen für Kerben und Fasen wie Siliziumwafer, mit den zusätzlichen Vorteilen von Glas.
Kosteneffizient und langlebig
Dank ihrer herausragenden Eigenschaften können Glas Carrier Wafer und Panels bis zu zehn Mal verwendet werden, was die Nachhaltigkeit dieser wichtigen Komponenten erhöht und gleichzeitig die Kosten senkt.
Bereit für Backend-Prozesse
Glas Carrier ermöglichen die Handhabung von Silizium-Wafern/-Dies in der Halbleiterproduktion.
Breite Auswahl an Materialien für Glas Carrier, um den Kundenanforderungen gerecht zu werden
G1, G2 sind alkalifreie Materialien
G1, G2 und G3 stimmen überein mit dem CTE des Si-Wafers
G5 und G6 erfüllen den hohen CTE von Verbundwerkstoffen und anderen Schnittstellenmaterialien
Geometrische Eigenschaften des SCHOTT Glas Carriers
| Geometrische Eigenschaften | Wert |
|---|---|
|
Extrem geringe Gesamtdickenabweichung (TTV) |
< 2.0 µm (Standard) |
|
Präzise Dickentoleranzen |
± 5.0 μm (Standard) |
|
Warp (abhängig von Materialien und Dicken) |
8'' < 30 µm |
|
Kosmetische Qualität (abhängig von Materialien und Dicke) |
Scratch / Digs: |
Bonden und Debonden von Glas Carriern
Spektrale Transmission: Dicke 1,1 mm für λ = 250 nm bis 400 nm
Spektrale Transmission: Dicke 1,1 mm für λ = 200 nm 500 nm
SCHOTT Glas Carrier können wie folgt geliefert werden:
- Flat/Notch: Gemäß SEMI-Standard
- Lasermarkierung: Barcode/eindeutige Nummer
- Reinigung: Ultra-/Megaschallreinigung und ISO 6 Reinraum
- Verpackung: Inspektion und Verpackung nach ISO 6 in Wafer-Boxen (FOSB, RTU usw.)
