Technische Daten für Passivierungsglas
Spezifikationen
Passivierungsgläser werden aufgrund diversifizierter Glassysteme in einer Vielzahl von individuellen Spezifikationen angeboten. Alle Passivierungsgläser werden als Glaspulver geliefert und sind in verschiedenen Korngrößen erhältlich.
Glasnummer | Typ | Hauptanwendungen | α(20/300) 10-6/K | Tg °C | Pb-Inhalte wt% | Brenntemperatur in °C | Mindesthaltezeit | Tj °C | Dicke des Wafers µm |
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Bleihaltig | |||||||||
G018-205 | Pb-Zn-B | Sinterglas-Dioden | 4,45 | 632 | 1-5 | 690 | 10 | - | - |
G017-388 |
Zn-B-Si Verbundwerkstoff |
Thyristoren, Hoch- Sperrgleichrichter |
3,6 | 550 | 1-5 | 700 | 5 | 180 | ≥ 30 |
G017-002 | Zn-B-Si Verbundwerkstoff | Sinterglas-Dioden | 3,7 | 545 | 1-5 | 700 | 10 | 180 | - |
G017-096R | Pb-B-Si |
Sinterglas, Planar- und Messdioden |
4,8 | 456 | 10-50 | 680 | 5 | 160 | - |
G017-004 |
Pb-B-Si Verbundwerkstoff |
Messdioden | 4,1 | 440 | 10-50 | 740 | 5 | 160 | ≥ 30 |
G017-230 |
Pb-B-Si Verbundwerkstoff |
Transistoren | 4,2 | 440 | 10-50 | 700 | 4 | 160 | ≥ 25 |
G017-725 | Pb-B-Si | Sinterglas-Dioden | 4,9 | 468 | 10-50 | 670 | 10 | 180 | - |
G017-997 |
Pb-B-Si Verbundwerkstoff |
Wafer Passivierung |
4,4 | 485 | 10-50 | 760 | 20 | 180 | - |
G018-133 |
Pb-B-Si Verbundwerkstoff |
Sinterglas-Dioden | 4,8 | 463 | 10-50 | 690 | 30 | - | - |
Bleifrei | |||||||||
G018-200 | Zn-B-Si | Sinterglas-Dioden | 4,6 | 557 | - | 665 | 10 | - | - |
G018-197 | Zn-B-Si | Sinterglas-Dioden | 4,4 | 557 | - | 675 | 10 | - | - |
G018-255 | Bi-Zn-B | Varistoren | 9,4 | 396 | - | 520 | 15 | - | - |
G018-434 | Zn-B-Si | Sinterglasdioden |
4,1 | 563 | - | 680 | 20 | - | > 25 |
Technologie
Glaspulver werden in zwei Schritten hergestellt:
- Zuerst wird das Rohglas in speziellen Aggregaten geschmolzen.
- Die Glasbänder werden zu feinen Pulvern unterschiedlicher Korngrößen gemahlen.
Die Kunden verarbeiten unsere Passivierungsglaspulver auf unterschiedliche Weise. Zur Herstellung von Sinterglas-Dioden wird eine Paste aus Glaspulver und destilliertem Wasser auf den bedrahteten Halbleiter aufgetragen, bevor dieser in einem Ofen gesintert wird. Bei der Waferpassivierung wird eine organische Suspension durch Schleudern, Rakeln, Sedimentation, Elektrophorese oder Siebdruck aufgebracht.
Antonio Trizzino
Sales Manager Europa