Glass Panels

SCHOTT Glass Panels ofrecen una combinación excepcional de material y características del producto adaptadas para satisfacer las demandas de los avanzados envases de chips 2,5D y 3D. Con una expansión térmica variable y excelentes propiedades dieléctricas, combinadas con una calidad de superficie óptima y precisión geométrica, los SCHOTT Glass Panels los hacen ideales para aplicaciones electrónicas de alto rendimiento. Gracias a su transmitancia para las señales ópticas, los glass panels están bien preparados para las próximas generaciones de envases, como la óptica co-envasada.

SCHOTT Glass Panels para el envasado avanzado de semiconductores

Variabilidad geométrica

Los SCHOTT Glass Panels están disponibles en una amplia gama de dimensiones, incluyendo un tamaño de 510 x 515 mm y espesores que varían entre 0,5 y 1,1 mm. Se pueden solicitar tamaños personalizados, asegurando tolerancias estrictas para cumplir con las exigencias de procesamiento y rendimiento de paquetes avanzados.

Expansión térmica a medida

SCHOTT Glass Panels ofrecen una gama de coeficientes de expansión térmica (CTE) de 3 a 8 ppm/K y superiores. Garantiza la mejor compatibilidad con varios semiconductores y otros materiales asociados ensamblados conjuntamente en el paquete.

Excelente calidad de superficie y estabilidad mecánica

Con una calidad de superficie ultrasuave reproducible con una rugosidad inferior a 1 nm, los SCHOTT Glass Panels proporcionan la base óptima para la metalización de líneas finas con una alta resistencia al desprendimiento. Su extraordinaria rigidez mecánica garantiza un rendimiento fiable en aplicaciones exigentes de interconexión de alta densidad.

Listo para estructuración de gama alta

Los SCHOTT Glass Panels permiten tanto la estructuración de líneas de cobre extremadamente finas en la superficie como la estructuración precisa a través del sustrato de vidrio. La capacidad de soportar la estructuración láser de alta densidad de TGV, así como las grandes aberturas para la incorporación de componentes activos y pasivos, los convierten en una opción perfecta para la interconectividad avanzada de alta densidad.
Propiedades Especificaciones
Rango de CTE (20-300°C)**

3,2 | 3,3 | 5,0 | 7,2

Formato 510 x 515 mm
Grosor del panel** (inicial)
0.5 – 1.1 mm
Gama de tolerancia de espesor***
± 10 – 20 µm
Gama TTV***
≤ 10 – 20 µm
Rango de urdimbre***
≤ 100 – 200 µm
Arañazos/excavaciones:
40/20
Partículas (no extraíbles)
≤ 100 – 200 µm
Defectos en los bordes
≤ 100 – 200 µm
Procesamiento de bordes
forma redonda o biselada, rectificada

*     Especificaciones más ajustadas con solicitud previa
**Otros materiales o espesores a petición
***Dependiendo del tipo y grosor del cristal

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