Verre de passivation
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Verre de passivation

Grâce à une vaste sélection de compositions (y compris des options sans plomb), le verre de passivation SCHOTT peut être adapté avec précision à une large gamme de composants électriques. Les clients bénéficient d’une résistance d’isolation impressionnante grâce à notre sélection exigeante et à l’utilisation de matériaux de haute qualité.

Des compositions finement ajustées pour une excellente correspondance des composants

Une excellente résistance d’isolation

SCHOTT obtient une haute résistance d’isolation pour sa fritte de verre de passivation en utilisant un matériau à très faible teneur en alcalins, notamment en sodium. Pour ce faire, nous nous procurons les meilleures matières premières et utilisons des processus de production spécialisés.

Une dilatation thermique adaptée

Notre choix de compositions permet au coefficient de dilatation thermique du verre de s’adapter parfaitement aux composants semi-conducteurs. Des compositions variées à base de zinc, de plomb, de silicate et de borate, tandis que les poudres sans plomb peuvent également contenir du bismuth.

Des verres sans plomb

Les verres de passivation SCHOTT peuvent être proposés comme solutions sans plomb pour toutes les applications courantes de passivation.

Un large choix de verres de haute qualité

Un large assortiment de verres de grande pureté avec des distributions granulométriques et des tailles de grain standard ainsi que des formulations de verre de passivation sur mesure disponibles.
Spécifications
Technologie

Spécifications

Les verres de passivation sont proposés dans une variété de spécifications individuelles grâce à des systèmes de verre diversifiés. Tous les verres de passivation sont fournis sous forme de poudre de verre et disponibles en différentes tailles de grain.

Verre N°  Type Applications principales α(20/300)  10-6/K Tg °C Teneur en Pb % en poids Temp. d’allumage en °C Temps de maintien min.  Tj °C Épaisseur de la couche µm 
Contient du plomb
G018-205 Pb-Zn-B diodes en verre fritté  4,45 632 1-5  690 10  -  -
G017-388 

Composite Zn-B-Si

thyristors,

redresseurs à blocage élevé


 3,6 550  1-5  700 5 180   ≥ 30
G017-002  Composite Zn-B-Si  diodes en verre fritté  3,7  545  1-5  700 10  180  -
G017-096R  Pb-B-Si 

verre fritté,

diodes planar et

mesa

 4,8 456 10-50  680  5  160  - 
G017-004 

Pb-B-Si

composite

 diodes mesa  4,1 440   10-50 740  5 160   ≥ 30
G017-230

Pb-B-Si

composite 

 transistors  4,2   440  10-50 700  4 160   ≥ 25
G017-725  Pb-B-Si   diodes en verre fritté 4,9 468  10-50  670  10  180  - 
G017-997 

Pb-B-Si

composite 

 

passivation de

plaquettes (wafers)

 4,4 485  10-50 760 20  180  -
G018-133 

Pb-B-Si

composite 

  		 diodes en verre fritté  4,8  463  10-50  690  30 - - 
 Sans plomb
G018-200  Zn-B-Si  diodes en verre fritté  4,6 557  -  665 10  - - 
G018-197 Zn-B-Si  diodes en verre fritté  4,4  557  -  675  10  -  - 
G018-255  Bi-Zn-B  varistances  9,4  396  - 520  15  -  - 
G018-434  Zn-B-Si  diodes en verre fritté
 4,1  563  - 680  20  -  > 25

 

Technologie

Les poudres de verre de passivation sont fabriquées en deux étapes :

  1. Le verre brut est d’abord fondu dans des fours spécialement conçus.
  2. Les calcins de verre sont broyés en fines poudres de granulométrie différente.

Les clients traitent nos poudres de verre de passivation de différentes manières. Pour la fabrication des diodes en verre fritté, une suspension de poudre de verre et d’eau déminéralisée est appliquée sur le corps de la diode avant de la fritter dans un four. Pour la passivation des wafers, une suspension organique est appliquée par filage, raclage, sédimentation, électrophorèse ou sérigraphie.

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Antonio Trizzino

Responsable Ventes Europe