SCHOTT® low-loss

SCHOTT® low-loss 유리는 뛰어난 특성을 갖춘 붕규산 유리로, 고주파 응용 분야 맞춤형입니다. 낮은 유전 상수, 최소한의 유전 손실 및 반도체 산업과 일치하는 CTE를 갖춘 이 제품은 하이 테크에 이상적인 첨단 기판 재료를 제공합니다. RF 통신 및 감지 응용 분야 향상을 위해 설계된 이 제품은 기존의 고주파 기판에 대한 매력적인 대안입니다. 현재 R&D 소재로 사용 가능한 이 소재는 다양한 두께 범위와 우수한 표면 품질을 제공하여 이 분야에 혁명을 일으킬 준비가 돼있습니다.

무선 주파수 통신 및 감지 응용 분야를 위한 우수한 유전 특성

낮은 유전 상수

유전 상수(Dk)가 4.0인 SCHOTT® low-loss 유리는 고성능 광대역 안테나 설계를 가능하게 합니다. 이는 효율적인 신호 전파를 지원하고 고급 통신 및 레이더 시스템에 중요한 신호 지연을 최소화합니다.

낮은 유전 손실

SCHOTT® low-loss 유리는 당사의 소재 범위 내에서 가장 낮은 유전 손실을 특징으로 하여 최소한의 감쇠로 매우 효율적인 신호 전송을 보장합니다. 이 특성은 신호 무결성 유지가 가장 중요한 고주파 응용 분야에서 중요합니다.

매끄러운 표면

거칠기가 Ra < 5nm인 SCHOTT® low-loss 유리는 매우 깨끗한 표면을 자랑합니다. 금속화 솔루션과 결합하면 산란 손실을 최소화하여 RF 라인을 설계할 수 있어 고주파 응용 분야 전반의 성능을 향상시킵니다.

반도체에 최적화된 CTE

SCHOTT® low-loss 유리의 열팽창 계수(CTE)는 실리콘 웨이퍼의 열팽창 계수(α [10–6 K–1] = 3.29)와 정확하게 일치합니다. 이러한 호환성은 반도체 구성품과의 원활한 통합을 보장하여 전자 장치의 안정성과 신뢰성을 향상시킵니다.
일반 속성
밀도 ρ [g/cm³] 2.14

 

열 특성
열팽창 계수 α [10-6 K-1] 3.29
열전도도 λ(25 °C) [W/(m·K)] t.b.d.
비열 용량 Cp(20 °C; 100 °C) [J/K]
t.b.d.
변형 온도 Tg [°C] 467
변형점 @ 1014.5 dPas [°C] 548
가열 냉각점 @ 1013 dPas [°C]
538 
연화점 @ 107.6 dPas [°C]
750
작업점 @ 104 dPas [°C]

1143

 

전기적 특성

주파수

f [GHz]

유전 상수 

ε ± 0.1 / 측정됨

손실각 tan δ

± 0.0005 / 측정됨

1 4.05 0.0011
2 4.05
0.0013
2.45 4.05
0.0014
5 4.05 0.0017
10 4.05 0.0021
15 4.05
0.0024
24 4.05
0.0028
77 4.05
0.0047
110 4.05
0.0061
Log10 전기적 부피 저항 ρ [Ω·cm]
T = 250 °C 10.7
 

T = 350 °C

8.8
 
TK100 [°C]
405  

 

기계적 특성
영률 E [GPa] 51
포아송비(Poisson‘s ratio) v 0.223
전단 탄성률 G [GPa]
21
비커스 경도 [HV]
t.b.d.
마텐스 경도 [HM]
t.b.d.
누프 경도
t.b.d.

 

광학적 특성
광탄성 상수 C [nm/(cm MPa)] t.b.d.
투과율 t.b.d.

 

원료 유리의 화학적 내구성
가수분해 내성(DIN ISO 719 기준)  
가수분해 유형 HGB 1
내산성(DIN 12116 기준)
 
산성 유형
S1W
내알칼리성(DIN ISO 695 기준)
 
알칼리 유형
A3

 

굴절률

SCHOTT® 저손실 유리의 굴절률을 보여주는 그래프

유전 손실

SCHOTT® 저손실 유리의 유전 손실을 보여주는 그래프

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