HermeS®
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Technische Daten für HermeS®

Überragende Zuverlässigkeit, exzellente HF-Leistung, hohe optische Transparenz und die Möglichkeit des anodischen Bondens mit Silizium - HermeS® Through-Glass Via Wafer bieten eine Reihe von Eigenschaften, die für die Entwicklung von kompakten und extrem langlebigen MEMS-betriebenen Bauteilen und Sensoren wichtig sind.

Die außergewöhnlichen Eigenschaften von HermeS®

Den Risiken geringerer Effizienz entgegenwirken

Die Kombination aus widerstandsfähigen Materialien und Glas-Metall-Technologie hilft MEMS-Bauteilen dabei, mit verschiedenen Risiken umzugehen - von regelmäßigen medizinischen Sterilisationsverfahren bis hin zu industriellen Produktionslinien mit einer hochkorrosiven Umgebung.

Langlebigere Komponenten

Die hohe mechanische, thermische und chemische Widerstandsfähigkeit der HermeS®-Glaswafer trägt maßgeblich zu einer längeren Lebensdauer der MEMS-Bauteile bei.

Miniaturisierungsoptionen

Da SCHOTT HermeS® Wafer mit hermetisch integrierten Metallkontakten direkt auf ein Silizium-MEMS aufgebracht werden können, ermöglicht dies eine erhebliche Miniaturisierung im Bauteildesign - bis zu 80 % kleiner als keramische MEMS-Bauteile.

Qualitätssicherung

Im Vergleich zu TSV (Through Silicon Vias) und anderen TGVs ermöglichen HermeS®-Wafer eine bessere Verarbeitung und Qualitätskontrolle bei der Herstellung von MEMS-Bauteilen und Endanwendungen, da der Wärmeausdehnungskoeffizient des Glasmaterials und der integrierten Metallkontakte aufeinander abgestimmt wird.
Waferspezifikationen
Glasspezifikationen

Waferspezikationen

Technische Daten des Wafers
Dicke des Wafers 500–1600 μm ±20 μm
Durchmesser der Wafer 4“, 6“, 8“
Über Pitch min. 400 μm
Über Durchmesser 80 μm
Via Materialien Wolfram (W) – kombiniert mit BOROFLOAT® 33
(auf Anfrage: AF 32® eco)
Hermetizität Leckrate ≤ 1 × 10–9 Pa · m3/s, [≤ 1 × 10–8 mbar l/s]

Glasspezifikationen

Technische Daten des Glases
Glasmaterial Borofloat®33 AF 32®eco 33
Wärmeausdehnungskoeffizient
(CTE)		 3,25 x 10-6/K
(an Si angepasst)		 3,2 x 10-6/K
(an Si angepasst)
Dielektrische Konstante @ 1MHz 4,6 5,1
Brechungsindex (@ 600 nm) 1,47 1,51

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Kristina Gruber, Product/Sales Manager
Kristina Gruber

Product/Sales Manager