Technische Daten für HermeS®
Waferspezifikationen
Technische Daten des Wafers | |||
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Dicke des Wafers | 500 ±20 μm (min. 280 μm) | ||
Durchmesser des Wafers | 4", 6", 8" | ||
Abstand der Pins (Via Pitch) | 250 μm | 200 μm | 150 μm* |
Via-Durchmesser | 100 μm | 80 μm | 50 μm* |
Via Dichte | 50 k* (6"), 100 k* (8") | ||
Via Materialien | Wolfram (W) - in Kombination mit Borofloat®33 und AF 32®eco 33 Eisen-Nickel (FeNi42) - in Kombination mit D 263®T eco (weitere Materialien auf Anfrage) |
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Hermetizität | [≤ 1 × 10–9Pa · m3/s], [≤ 1 × 10–8mbar/s], [≤ 1 × 10–8atm cc/s] |
*befindet sich in der Weiterentwicklung
Glasspezifikationen
Technische Daten des Glases | |||
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Glasmaterial | Borofloat®33 | AF 32®eco 33 | D 263®T eco |
Wärmeausdehnungskoeffizient |
3,25 x 10-6/K (an Si angepasst) |
3,2 x 10-6/K (an Si angepasst) |
7,2 x 10-6/K |
Dielektrische Konstante @ 1MHz | 4,6 | 5,1 | 6,7 |
Brechungsindex (@ 600 nm) | 1,47 | 1,51 | 1,52 |